检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:竹锦霞[1]
机构地区:[1]四川文理学院智能制造学院,四川达州635000
出 处:《四川文理学院学报》2016年第5期30-32,共3页Sichuan University of Arts and Science Journal
基 金:四川省教育厅科研重点项目(15ZA0321);四川文理学院校级科研项目(2014Z002Z)
摘 要:在低杂波电流驱动下,快电子和逃逸电子构成了非麦克斯韦电子分布的高能尾部.高能快电子由于低的碰撞频率可以有效的携带电流来实现非感应电流驱动.但是在一定条件下,快电子可以转化为高能逃逸电子,这将对装置第一壁材料造成损伤.利用快电子轫致辐射测量以及逃逸电子诊断系统研究了低杂波电流驱动下快电子分布和逃逸电子的产生,并分析了快电子转化为逃逸电子的现象.Fast electrons and runaway electrons constitute the high- energy tail of electron maxwell distribution during low hybrid current drive. High energy fast electron can effectively carry current driving to achieve no--induced current drive due to low collision frequency. But under certain conditions, fast electron can turn into runaway electron. It will do damage to the device first wall material. This paper studies fast electron distribution and the runaway electrons generation by means of fast electron bremsstrahlung array and runaway electron diagnose. The conversion phenomenon from fast electron to runaway electron can be analyzed.
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