同步辐射技术研究二维磁性半导体材料  

出　　处：《科学中国人》2016年第10期8-8,共1页Scientific Chinese

摘　　要：中国科学技术大学国家同步辐射实验室韦世强研究员等，利用同步辐射软X射线吸收谱学技术，在研究二维超薄MoS2半导体磁性材料的结构、形貌和性能调控，相关成果发表于《美国化学会志》。二维超薄半导体纳米片具有宏观上的超薄性、透明性、柔韧性和微观上优异的电学、磁学和光学性能，是实现自旋电子器件微型化和功能最大化、制备大面积和高质量的纳米自旋电子器件等领域极具发展潜力的材料。

关 键 词：磁性半导体材料 同步辐射技术 二维 国家同步辐射实验室 中国科学技术大学 自旋电子器件 光学性能 X射线吸收 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]