用于PLL的带隙基准电压源设计  

作　　者：徐兰[1] 余泞江 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065

出　　处：《数字技术与应用》2016年第10期166-166,共1页Digital Technology & Application

摘　　要：本文基于SMIC 0.18μm标准CMOS混合工艺设计了一种适用于锁相环的高阶温度补偿带隙基准电压源,并进行了仿真验证。仿真结果显示,电源电压采用1.8V,在-50℃~125℃的温度范围内,带隙基准电压源获得了3.17ppm/℃的温度系数。将本文所设计的高阶带隙基准电压源应用到PLL系统中,能够很好的满足应用的要求。

关 键 词：高阶温度补偿 PLL 带隙基准 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]