纳米尺度互连线寄生参数的仿真及应用于CMOS射频集成电路设计  

作　　者：苏晓[1] 刘宝宏[1,2] 陈瑛[2] 郭玄灜 

机构地区：[1]南昌工程学院信息工程学院,江西南昌330099 [2]南昌工程学院,江西南昌330099

出　　处：《数字技术与应用》2016年第10期176-177,共2页Digital Technology & Application

基　　金：江西省教育厅科技研究项目(GJJ14757);2014年江西省大学生创新创业训练计划资助项目(201411319029)资助

摘　　要：本文给出了一种应用于电路版图仿真的互连线寄生参数模型。该模型基于物理现象的集总参数模型,模型各个参数都可以采用电磁场仿真软件提取得到。文中分析了模型的仿真精度,并通过仿真显示该模型有效性。最后,对该互连线的寄生参数模型应用于CMOS集成电路设计的流程进行了讨论分析。分析表明在集成电路设计中采用该模型可以根据电路设计要求进行调整互连线的尺寸,并可将互连线参数作为电路设计的一部分进行综合考虑,有助于提高电路综合性能。

关 键 词：纳米尺度互连线 集总参数模型 电路仿真 CMOS射频集成电路设计 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]