二阶曲率补偿带隙基准的设计  

作　　者：李燕楠[1] 廖杰[2] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]重庆邮电大学自动化学院,重庆400065

出　　处：《数字技术与应用》2016年第10期184-184,共1页Digital Technology & Application

摘　　要：基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,本文采用MOS管工作在亚阈值区的技术设计了一种二阶曲率补偿带隙基准。Cadence仿真结果显示,在1.5 V电源电压下,带隙基准输出电压在-25℃~125℃温度范围内获得了3.18 ppm/℃的温度系数,在1Hz及100KHz的频率处分别获得了-113.2 d B及-52.76d B的电源抑制比。

关 键 词：带隙基准 曲率补偿 亚阈值区 电源抑制比 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]