蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能影响研究  

Effect of Evaporation Current on the Crystallization Properties of CdSe Thin Films

作　　者：裴传奇 张敏 张志勇[2] 杨辉[1] 刘其娅[1] 曾体贤[1] 

机构地区：[1]西华师范大学物理与空间科学学院,南充637002 [2]中国科学院国家天文台,北京100012

出　　处：《人工晶体学报》2016年第10期2436-2440,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133);中国科学院太阳活动重点实验室开放课题(KLSA201514)

摘　　要：采用真空热蒸发技术,选取系列蒸发电流在光学玻璃基底上制备出Cd Se薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品的结构和表面形貌进行了表征。结果显示:蒸发电流为75 A时,Cd Se薄膜沿(002)方向择优生长,衍射峰较强,半峰宽较小,晶粒(约48 nm)分布较均匀,表面粗糙度低(5.58 nm),无裂纹。蒸发电流不改变薄膜的结晶取向,但电流过低时,薄膜的表面颗粒轮廓模糊且有间隙,结晶性差;电流高于75 A时,随电流升高,薄膜结晶性逐步降低,颗粒变小,半峰宽变大,部分样品表面晶粒生长不完整,表面出现裂纹。The CdSe thin films were grown by the vacuum thermal evaporation on glass substrates. The structure and surface morphology of the thin films were characterized by X-ray diffraction （ XRD）, scanning electron microscope （ SEM ） and atomic force microscope （ AFM ）. For the samples with evaporator current 75 A, all diffraction peaks correspond to （002） reflections without second phase. The grains of the CdSe thin films are in good uniform （？48 nm） with low surface roughness（5. 58 nm） . As the evaporation current increasing, the crystallinity of CdSe thin films first increases, reaching a maximum at 75 A, and then decreases. The results show that CdSe thin films with good crystalline quality and highly c-axis orientation when evaporation current is 75 A.

关 键 词：CDSE薄膜 热蒸发 蒸发电流 结晶 

分 类 号：O484[理学—固体物理]