包括埋入式阳极氧化物结构的半导体装置及其制造方法  

出　　处：《科技创新导报》2016年第22期191-191,共1页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：该发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法,从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。

关 键 词：阳极氧化 制造方法 埋入式 英飞凌科技 舒尔策 莫德 贝尔格 

分 类 号：TQ436.6[化学工程]