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作 者:杨天丽[1] 龙开明[1] 卞国杰[2] 王宏斌[2] 蒋刚[2]
机构地区:[1]中物院核物理与化学研究所,绵阳621900 [2]四川大学原子与分子物理所,成都610041
出 处:《原子与分子物理学报》2016年第6期1062-1068,共7页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:国家科学技术部重大仪器专项(2012YQ250003)
摘 要:Sn激光共振电离质谱同位素分析中电离通道的选择非常关键.采用Dirac–Hartree–Fock(MCDHF)方法和相对论组态相互作用的Grasp VU原子结构计算程序,计算了Sn、Te原子的低激发态能级结构、光谱跃迁几率.通过对Sn质谱分析用灯丝样品进行热蒸发实验,确定了Sn原子在蒸发条件下基态能级粒子布局.结合理论计算跃迁数据和布局数据,从选择性电离角度出发,推荐了Sn激光共振电离质谱分析中Sn电离光谱通道.The ionization path is very key to laser resonance ionization f mass spectrometry analysis of Sn. Using Dirac – Hartree – Fock(MCDHF) method and Grasp VU atomic structure calculation code,the energy level structures,transition probabilities of excited states of Sn and Te have been obtained. An thermal evaporation experiment of Sn sample,which is coated the surface of Re filament,has been carried out and the population of Sn atoms in ground state energy level has also been deduced. Combining these parameters the ionization path of laser resonance ionization of mass spectrometry measurement has been selected from selectivity point of view.
分 类 号:O56[理学—原子与分子物理]
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