超低功耗高精度电压基准设计  

作　　者：王仁广[1] 李捷菲 宫浩然[1] 纪永成[1] 

机构地区：[1]吉林大学

出　　处：《电子世界》2016年第24期13-14,共2页Electronics World

摘　　要：本文设计了一款适用于超低功耗So C的高精度电压基准模块。本次设计的电压基准模块创新性的使用了工作于亚阈值区的MOSFETs来代替传统的电路结构。除了用做电阻的工作于线性区的MOS管之外,其余所有的MOS管均工作在亚阈值区。仿真结果表明,整体电路（包含启动电路）的功耗仅为210n A,电路版图面积仅为70,在0.7~1.8V的电源电压范围内,电路都能正常输出大小为630m V的基准电压,在-40~125温度范围内,温漂系数TC为16ppm,在1k Hz带宽范围内的电源抑制比PSRR接近50d B。在电源上电以后,电路可以10s内快速稳定的启动。

关 键 词：超低功耗 高精度 超小面积 全亚阈值 电压基准模块 

分 类 号：TN912.2[电子电信—通信与信息系统]