静电放电对光耦器件的影响及抗静电设计  

作　　者：谢年生 鲁争艳 黄艳辉 尹宏程 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233030

出　　处：《集成电路通讯》2016年第4期6-10,共5页

摘　　要：对一种高速光耦器件出现的一种故障模式和失效机理试验分析，确定为静电失效模式。设计在电源输入端增加TVS管和电容的静电防护措施，经试验验证，该措施对光耦器件的抗静电能力有显著提高。

关 键 词：光耦 失效分析 静电放电 静电防护 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]