Ni负载弯曲石墨烯表面电子结构的第一性原理研究  

作　　者：孙松松[1] 贾桂霄[1,2] 王晓霞[1] 蒋涛[1] 罗辉[1] 

机构地区：[1]内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古包头014010 [2]内蒙古自治区新型功能陶瓷与器件重点实验室,内蒙古包头014010

出　　处：《科技风》2017年第2期160-161,共2页

基　　金：内蒙古科技大学材料与冶金学院孵化器基金(No.2014CY012)和内蒙古科技大学大学生科技创新基金(No.PY-201502)资助项目

摘　　要：采用第一性原理方法研究了Ni在曲率K1=0.024、K2=0.065、K3=0.105、K4=0.146、K5=0.162和K6=0.186六种不同弯曲程度石墨烯表面的吸附情况和电子结构。研究结果如下:当曲率K4为0.146时,Ni与石墨烯体系结合能最小,此时Ni原子位于C—C键桥位,且C—C键被打断。对差分电荷和Mulliken电荷的分析发现,在负载Ni原子的弯曲石墨烯体系中,Ni失去电子给石墨烯。对体系态密度的研究发现,负载Ni原子的弯曲石墨烯体系费米能级上移,与差分电荷和Mulliken电荷分析结果一致,即石墨烯得到电子。本工作将可能影响Ni负载石墨烯体系对一些小分子,如CO、N H3、O2和NO2的敏感性。

关 键 词：弯曲石墨烯 Ni负载 电子结构 密度泛函理论 

分 类 号：O561.2[理学—原子与分子物理]