碲锌镉半导体探测器漏电流和结电容的测试  

Test of the Leakage Current and the Junction Capacitance for CdZnTe Semiconductor Detector

作　　者：李元东[1] 曾国强[1] 葛良全[1] 谭承君[1] 徐亚东[2] 

机构地区：[1]成都理工大学地学核技术四川省重点实验室,成都610051 [2]西北工业大学航空学院,西安710072

出　　处：《核电子学与探测技术》2016年第7期690-693,共4页Nuclear Electronics & Detection Technology

基　　金：国家自然科学基金(41474159);四川省科技计划项目(2015JQO035)资助

摘　　要：为进一步研究碲锌镉半导体探测器(简称CZT探测器)的特性,搭建了其漏电流和结电容等主要特性参数的测试平台,设计了测试方案,并在不同条件下测试了两种不同结构的探测器,分析了测试结果。通过本次实验,可较好地掌握CZT探测器的主要特性,从而为其在射线探测领域的应用提供参考依据。In order to study the characteristics of CdZnTe （CZT） semiconductor detector further, this article not only builds the test platform for the main characteristic parameters （ the leakage current and the junction capaci- tance） and designs the test scheme, but also tests two detectors of different structures under different conditions and analyzes the test results. Through this experiment, we can better grasp the main features of the CZT detector, thus providing reference for its application in the field of radiation detection.

关 键 词：CZT探测器 漏电流测试 结电容 电荷灵敏前置放大器 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]