矩形LED阵列的照度特性研究  

作　　者：苏腾凤 刘启能[1] 

机构地区：[1]重庆工商大学

出　　处：《信息系统工程》2017年第1期142-143,共2页

摘　　要：性能优良的LED芯片已成为新一代重要光源之一,怎样确定其照度特性已成为提高LED芯片使用效率的关键因素。建立单个LED芯片照度特性理论模型用来推导矩形LED阵列照度特性理论模型,即矩形LED阵列的照度公式、光斑半径公式和散度角公式。然后利用矩形LED阵列光斑半径和光斑散度角随m值、目标距离和矩形阵列的结构参数的变化关系,得出远场情况下光斑半径和光斑散射角的变化规律。

关 键 词：发光二极管 矩形LED阵列 光斑半径 发散角 远场光斑 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]