忆阻器的发展现状与未来  被引量:6

A review on present status and prospect of memristor

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作  者:李清江[1] 刘海军[1] 徐晖[1] LI Qingjiang LIU Haijun XU Hui(College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan 410073)

机构地区:[1]国防科技大学电子科学与工程学院,湖南长沙410073

出  处:《国防科技》2016年第6期9-16,共8页National Defense Technology

摘  要:忆阻器是近年来发现的一种新型无源电路元件,具有非易失记忆特性,且在开关性能和工艺尺寸等多方面具有优势,可能成为IT技术新的物理基础。本文概述了忆阻器的研究意义,详细介绍了忆阻器的定义与发展历程,着重从器件制备、表征测试、基于忆阻器的新型计算系统应用等三个方面综述总结了国内外发展现状,并对忆阻器未来发展所面临的挑战进行了展望。研究表明,忆阻器相关研究将为突破冯诺依曼计算机构的限制,研究下一代计算系统奠定扎实的器件与架构基础。Mernristor is the newly found non-volatile passive circuit component. With advantages on switching performance and scalability, it is believed to become the physics foundation of IT science. This paper outlines the significance of studying memristor. Firstly, we introduce definition and history of memristor in detail. Then, we overview the current development states emphatically in aspects of device fabrication, characterization and the application in constructing novel computing systems. Finally, the challenges of the memristor future development is analyzed and outlooked.The correlation study will lay a strong foundation of devices and architectures for breaking through the limit of the Von neumann Architecture and developing the next- generation computing system.

关 键 词:忆阻器 非易失记忆 新物理基础 器件制备 表征测试 

分 类 号:TP333.5[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP389.1[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]

 

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