先进半导体材料及器件  

Advanced Semiconducting Materials and Devices

作　　者：K.M. Gupta 王兆刚[2] 

机构地区：[1]不详 [2]中国科学院半导体研究所

出　　处：《国外科技新书评介》2016年第12期20-20,共1页Scientific & Technology Book Review

摘　　要：本书主要介绍了半导体材料和器件的基本概念、工作原理及最新研究进展。涉及的器件主要包括光电器件、金属半导体结、异质结、MISFETs、LEDs、GaNHEMTs、半导体激光器、光电二极管、开关二极管、隧穿二极管、耿氏二极管、太阳能电池、变容二极管、IMPATF二极管以及其它先进的半导体器件。同时，还讲述了一些半导体中常见的现象，如高场效应、霍尔效应、渡越时间效应、漂移和扩撒、击穿机制等。

关 键 词：半导体材料 光电器件 光电二极管 半导体激光器 渡越时间效应 开关二极管 隧穿二极管 耿氏二极管 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]