Zn_3V_2O_8的电子结构与光学性质的理论研究  

Theoretical Investigation on Electronic Structure and Optical Properties of Zn_3V_2O_8

作　　者：周传仓[1] 张飞鹏[2] 吴红玉[1] 房慧[3] 黄灿胜[3] 李凡生[3] 杨新宇[4] 张久兴[4] 

机构地区：[1]丽水学院理学院,丽水323000 [2]河南城建学院数理学院建筑光伏一体化河南省工程实验室,平顶山467036 [3]广西民族师范学院物理与电子工程系,崇左532200 [4]合肥工业大学材料科学与工程学院新型功能材料与器件安徽省重点实验室,合肥230009

出　　处：《硅酸盐通报》2017年第2期554-557,共4页Bulletin of the Chinese Ceramic Society

基　　金：国家自然科学基金(51572066);河南省自然科学基金(162300410007);广西自然科学基金(2015GXNSFBA139014);广西民族师范学院中青年骨干教师科研启动项目(2014RCGG001);广西民族师范学院科研项目(XYYB2011025)资助

摘　　要：采用平面波超软赝势密度泛函理论的方法研究了Zn_3V_2O_8的能带结构、电子态密度和光学特性。能带结果显示Zn_3V_2O_8呈间接带隙的绝缘体型能带,其禁带宽度为2.9 e V。详细的电子态密度结果显示其费米面上的态密度达到20 e/e V,费米能级附近的能级由Zn3p、V3p和O2p电子形成,Zn3d和O2s之间有强的杂化作用。介电性能结果显示在4.4~5.7 e V附近有强的吸收峰,在20.6 e V附近有一个次强吸收峰;吸收光谱显示在6.8 e V处有强吸收,在20.7 e V处有一个较弱的吸收峰。The energy band structure,electron density of states and optical properties of Zn_3V_2O_8 have been studied by using the ultra-soft pseudo-potential density functional theory method. The band structure result reveals the indirect band gap of 2. 9 e V which exhibits its insulator characteristics. The electron density of states shows the high density of states at Fermi level of 20 e/e V,the bands near Fermi level are composed of Zn3p、V3p and O2p electrons,and high hybrids can be found between Zn3d and O2s electrons. The dielectric properties results show a high absorption peak at 4. 4-5. 7 e V and a weak absorption peak at 20. 6 e V; The optical absorption spectrum shows a strong absorption peak at 6. 8 e V and a weak absorption peak at 20. 7 e V.

关 键 词：Zn3V2O8 密度泛函理论 电子结构 

分 类 号：TQ139.2[化学工程—无机化工]