紫外发光二极管发展现状及展望  

作　　者：闫建昌[1] 孙莉莉[1] 王军喜[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所、中科院半导体照明研发中心

出　　处：《照明工程学报》2017年第1期I0002-I0004,共3页China Illuminating Engineering Journal

基　　金：国家重点研发计划项目/课题(2016YFB0400800、2016YFB04000802、2016YFB04000803)资助

摘　　要：紫外波段依据波长通常可以划分为：长波紫外或UVA（320〈λ≤400nm）、中波紫外或UVB（280〈λ≤320nm）、短波紫外或UVC（200〈λ≤280 nm）以及真空紫外VUV（10〈λ≤200nm）。紫外发光二极管（LED）因其在激发白光、生化探测、杀菌消毒、净化环境、聚合物固化以及短距离安全通讯等诸多应用领域有着巨大的潜在应用价值而备受关注。此外,基于氮化铝镓（AIGaN）材料的紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代半导体材料技术发展的主要趋势,拥有广阔的应用前景。

关 键 词：紫外发光二极管 展望 材料技术 紫外波段 真空紫外 杀菌消毒 净化环境 安全通讯 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]