BiS_2-基超导体中杂质诱导的共振态分析  

作　　者：王亚利[1] 

机构地区：[1]北京交通大学理学院物理系

出　　处：《中国科技信息》2017年第5期80-82,共3页China Science and Technology Information

摘　　要：BiS_2-基超导体中BiS_2层状结构与铜氧化物超导体以及铁基超导体等非常相似,能带结构计算发现该系统具有很好的网状的费米面拓扑结构,因此,短程的磁涨落可能诱导了电子配对从而表现出非常规的超导电性;在这篇文章当中,我们使用在单一的非磁性杂质中的局域电子结构来证明BiS_2-基超导体的对称性,以BiS_2-基超导材料为研究对象,从两带的紧束缚模型出发,利用T矩阵近似和格林函数的方法,在弱散射和强散射情况下,考虑不同的掺杂浓度,考虑传统的s-波、扩展的s-波、s±-波以及2 2x yd--波的配对对称性,研究单个非磁性杂质诱导的杂质共振态以及空间调制结构,为判断超导配对对称性提供理论依据,从而揭示其中的非常规超导机理。

关 键 词：高温超导体 磁性杂质 共振态 诱导 超导发电机 超导机制 铜氧化合物 对称性 

分 类 号：O511.3[一般工业技术—材料科学与工程]