检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:刘晓茹[1] 李建军[1] 刘玮[1] 刘芳芳[1] 敖建平[1] 孙云[1] 周志强[1] 张毅[1]
机构地区:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071
出 处:《人工晶体学报》2017年第4期578-583,共6页Journal of Synthetic Crystals
基 金:国家自然科学基金(51572132;61504067;61674082);广东省扬帆科技计划团队项目(2014YT02N037)
摘 要:无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态。通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%)。通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒。将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%。Cd-free Zn(O,S) thin film attracts increasing attention as a buffer layer because of adjustable and wide band gap, environmental friendly and other advantages. The thin film were prepared by chemical bath deposition. The influence of the deposition time on the component, structure, optical and morphological properties of Zn ( O, S) thin films were studied. The deposition time varies between 20 rain and 35 rain. The XRD patterns of Zn (O, S) thin film show that Zn (O, S) layer is amorphous. The optical measurements show that the films have high optical transmission ( 〉 80% ). The scanning electronic microscopy (SEM) shows that uniform and continuous thin layers with small rounded cristallite for the films deposited for 30 min. Applied it to CZTSe thin film solar cells, the better 5.37% -efficient device is obtained by using deposition time 30 min.
关 键 词:无镉缓冲层 化学水浴法 Zn(O S) CZTSe薄膜电池 沉积时间
分 类 号:TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.222