金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池  

作　　者：吴伟梁 林文杰[1,2] 赵影文 包杰[1,2] 刘宗涛[3] 邱开富 梁宗存[1,2,3] 沈辉[1,2,3] 

机构地区：[1]中山大学太阳能系统研究所 [2]广东省光伏技术重点实验室 [3]顺德中山大学太阳能系统研究所

出　　处：《太阳能》2017年第4期35-38,共4页Solar Energy

基　　金：基金项目:粤港联合创新领域(2014B050505010);江苏省光伏科学与工程协同创新中心(SCZ1405500002)

摘　　要：采用金属氧化物多层膜作为新型晶体硅太阳电池发射极,并成功制备出多层膜背接触(MLBC)太阳电池,对其器件性能进行详细分析发现,金属氧化物多层膜具有高载流子浓度、低界面复合速率、低方阻,以及优异的光学性能。最终所制备的MLBC太阳电池光电转换效率达17.16%,开路电压可达631 mV,相比于V_2O_x/n-Si太阳电池,器件效率提高了1.36%。测试结果表明,V_2O_x/Ag/V_2O_x作为晶体硅太阳电池发射极,具有低界面复合速率和接触电阻率,具有成为高效率太阳电池的潜力。

关 键 词：金属氧化物 晶体硅 免掺杂 多层膜 太阳电池 

分 类 号：TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]