MOSFET缓冲保护电路的改进型设计  

作　　者：张军迪 李智[2] 张绍荣[2] 牛军浩[1] 

机构地区：[1]桂林电子科技大学电子工程与自动化学院 [2]桂林航天工业学院电子信息与自动化学院

出　　处：《电气应用》2017年第9期81-85,共5页Electrotechnical Application

基　　金：国家自然科学基金(61361006);广西自然科学基金(2015GXNSFBA139251);广西自动测试技术与仪器重点实验室基金项目(YQ14203;YQ14112)

摘　　要：低电压大电流逆变电路的缓冲保护电路的设计非常重要。本设计是在传统的RCD放电阻止型吸收电路的基础上加以改进,提高传统RCD缓冲保护电路的过电压吸收能力,改进后的电路结构简单且有很高的通用性。本设计结合动力逆变电路具体情况,设计出高效、简单及可靠的过电压防护电路,通过实验验证改进型RCD缓冲电路大幅度减小浪涌电压符合设计需要。

关 键 词：缓冲保护 浪涌电压 MOSEFT 逆变电路 

分 类 号：TM464[电气工程—电器] TN386[电子电信—物理电子学]