反应等离子沉积装置的性能研究  

RESEARCH OF REACTIVE PLASMA DEPOSITION SYSTEM

作　　者：杜荣池 王广才[2] 张晓丹[1,2] 张迎春 赵颖[1,2] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300350 [2]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300350 [3]北京捷造光电技术有限公司,北京100176

出　　处：《真空与低温》2017年第3期136-141,共6页Vacuum and Cryogenics

基　　金：国家高技术研究发展计划(2013AA050302);天津市科技支撑计划项目(10ZCKFGX02200)资助的课题

摘　　要：反应等离子沉积方法具有离子轰击能量低、薄膜沉积时衬底温度低的特点,可应用于太阳电池、LED(OLED)等的高质量透明导电材料的制备,有利于获得高转换效率的太阳电池。对反应等离子沉积系统进行了研究,并在FLD08型RPD设备上,制备了掺钨透明氧化物IWO薄膜材料,获得了较好的结果。Reactive plasma deposition system has the characteristics of low ion bombardment energy and low substrate temperature when the film is deposited. It can be applied to the deposition of transparent conductive materials,and this technology is conducive to high conversion efficiency of solar cells. In this paper,the reaction plasma deposition system was studied with the RPD equipment of model FLD08. Tungsten doped indium oxide(IWO)thin films were deposited,and good results were obtained.

关 键 词：反应等离子体 透明导电膜 掺钨透明氧化物 

分 类 号：V439[航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]