电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高纯铝中Ga  

作　　者：刘爽[1] 叶晓英[1] 杨春晟[1] 

机构地区：[1]中国航发北京航空材料研究院,北京100095

出　　处：《化学工程与装备》2017年第5期208-210,共3页Chemical Engineering & Equipment

摘　　要：研究了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP—AES)测定高纯铝中微量Ga元素(0.001~0.01%)的检测方法。详细讨论了基体元素和共存元素对Ga元素的光谱干扰,以及溶解盐酸用量对测量结果的影响;选择了合适的分析谱线,同时测定了分析方法的检出限,方法快速、准确。

关 键 词：ICP—AES GA 高纯铝 

分 类 号：TG115.33[金属学及工艺—物理冶金]