一种基于0.18 μm SiGe工艺的毫米波带通滤波器设计  

A Millimeter Wave Bandpass Filter Using 0.18 μm SiGe Technology

作　　者：李杰[1] 梁晓新[1] 阎跃鹏[1] 万晶[1] 林叙辰 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国航天科工二院研究生院,北京100854

出　　处：《仪表技术》2017年第7期41-42,共2页Instrumentation Technology

基　　金：北京科技委资助项目(Y6BK01F001)

摘　　要：毫米波带通滤波器的设计现在是一个热点,提出一个新颖的毫米波带通滤波器结构,并得以在0.18μm Si Ge工艺上实现。仿真结果表明,该滤波器带宽为20 GHz,插入损耗小于3 d B,回波损耗在带内好于10 d B。Today, the design of millimeter wave bandpass filter is a hot-topic. In this paper, a novel millimeter wave band pass filter is proposed, which can be implemented on a 0.18 μm SiGe. The simulation results show that the bandwidth of the filter is 20 GHz, the insertion loss is 3dB, and the return loss is less than 10 dB.

关 键 词：毫米波带通滤波器 带宽 插入损耗 回波损耗 

分 类 号：TN713[电子电信—电路与系统]