TVS器件中工艺参数对电性能的影响  

作　　者：张兴杰 

机构地区：[1]南通明芯微电子有限公司

出　　处：《电子世界》2017年第16期191-191,共1页Electronics World

摘　　要：瞬态电压抑制器(TVS)为一种硅PN结高效能的保护器件,可解决电路板面紧张问题,并在反向瞬态高能的冲击下,能够对浪涌功率最快响应速度吸收,可对线路内精密元器件形成良好保护。本文研究显示扩散温度、扩散时间、电阻率及钝化保护等工艺参数会影响TVS二极管电性能。扩散温度及扩散时间增加会增加扩散结深;而电阻率升高,TVS击穿电压增大,钝化保护可可减小TVS器件内反向漏电流。

关 键 词：TVS器件 工艺参数 电性能 影响 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]