ICP-MS检测多晶硅基体中痕量元素分析的影响因素与控制措施  

作　　者：杨雪 张啸虎 张园园 

机构地区：[1]河南洛阳中硅高科技有限公司,洛阳471023

出　　处：《中国检验检测》2017年第4期34-36,共3页China Inspection Body & Laboratory

摘　　要：高纯多晶硅中的痕量杂质能够影响多晶硅的少子寿命,影响多晶硅的光学电学性能,所以,检测控制多晶硅中痕量杂质是保证多晶硅质量的重要指标。为保证高纯多晶硅中痕量元素的检测准确性,对实验过程中涉及到的水、容器、温湿度等因素进行研究,以确定这些因素的影响。结果表明:使用聚四氟乙烯材质的容器能够降低空白值,使用Milli-Q制水机制出的超纯水中的杂质比厂区生产的纯水低等。同时,对实验容器的清洗,溶剂的选择,人员的优化提出了相应的控制措施,确保所用的器皿、试剂等不受污染,尽量减小空白值。

关 键 词：高纯多晶硅 痕量元素 控制措施 

分 类 号：O657.63[理学—分析化学]