氟化物激光晶体Cr∶LiSAF的坩埚下降法生长  

Growth of fluoride laser crystal Cr∶LiSAF by bridgman method

作　　者：陈红兵[1] 范世 夏海平[1] 徐家跃[2] 

机构地区：[1]宁波大学光电子材料研究所,浙江宁波315211 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《功能材料》2002年第4期442-443,446,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (59672 0 0 2 )

摘　　要：报道了氟化物激光晶体Cr∶LiSAF的坩埚下降法生长工艺。采用经氟化处理的无水氟化物原料 ,按照LiF∶SrF2 ∶(AlF3 +CrF3 ) =1∶1∶1的摩尔比配料 ,控制炉体温度于 90 0～940℃ ,晶体生长速度为 0 .4～ 0 .8mm /h ,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸 ( 2 5mm× 85mm )The growth process of fluoride laser crystal Cr∶LiSAF by Bridgman method was reported in this paper. The proper materials for crystal growth was prepared with the anhydrous fluorides treated by fluoridation according to the composition ratio of LiF∶SrF 2∶(AlF 3+CrF 3)=1∶1∶1. High quality crystal Cr∶LiSAF with large size of 25mm×85mm has been grown with melting temperature of 900～940℃ and growth rate of 0.4～0.8mm/h under sealed condition.

关 键 词：激光晶体 CR:LISAF 氟化处理 晶体生长 坩埚下降法 

分 类 号：TN24[电子电信—物理电子学] O782[理学—晶体学]