半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究  

Effective length of quantum confinement and polaron characteristics in semiconductor surface films

作　　者：李华[1] 刘炳灿[1] 田强[2] 

机构地区：[1]装甲兵工程学院基础部,北京100072 [2]北京师范大学物理学系,北京100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2017年第4期395-398,共4页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10574011;10974017)

摘　　要：采用提出的等效方法,确定Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度,在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维,进一步利用分数维方法研究了Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性.Within the framework of fractional-dimensional space approach, the effective length of quantum confinement is determined by an equivalent method. Result of binding energy and effective mass of a polaron confined in a GaAs film deposited on an AlxGa1-x substrate for different aluminum concentration at different values of film thickness have been investigated.

关 键 词：有效量子限制长度 分数维方法 极化子 GaAs薄膜 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]