俄法研究人员研制出新型超低功耗磁电内存  

作　　者：应物 

出　　处：《军民两用技术与产品》2017年第15期26-26,共1页Dual Use Technologies & Products

摘　　要：俄罗斯科学院无线电：r程和电子学研究所、莫斯科技术大学，以及法国李尔大学、法国国家科学研究院的研究人员联合研制出了一种新型磁电内存——MELRAM（磁电随机存取存储器）。该内存结合了传统电子内存的高速和磁介质的低功耗特性，应用前景广阔。

关 键 词：研究人员 内存 磁电 超低功耗 随机存取存储器 俄罗斯科学院 科学研究院 功耗特性 

分 类 号：TP333.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]