肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析  

Calculation Models and Feature Analysis of Schottky Barrier Reverse Tunneling Current

作　　者：雷勇[1] 饶伟锋[1,2] 苏静[1] 杨翠红[1] 

机构地区：[1]南京信息工程大学物理与光电工程学院,南京210044 [2]南京信息工程大学电磁功能材料研究所,南京210044

出　　处：《半导体光电》2017年第4期536-540,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金项目(51472123);江苏特聘教授基金项目;江苏省自然科学基金项目(BK20131428)

摘　　要：运用数值计算方法分析了肖特基势垒反向隧穿电流的场发射(FE)、热场发射(TFE)以及基于WKB近似的积分计算模型等三种模型之间的关系,阐述了场发射与热场发射模型的不足。通过分析积分计算模型的数值计算结果,探讨了肖特基势垒反向隧穿电流随能量峰状分布的基本特征。In this paper, the relationship among three calculation models of the Schottky barrier reverse tunneling current, that is, the field emission, thermal field emission and the integral calculation model based on WKB approximation is analyzed by using the method of numerical calculation. The shortage of field emission and thermal field emission model is elaborated. Through the analysis of the calculation results of integral calculation model, the features of the Schottky reverse tunneling current distribution with the electron energy are discussed.

关 键 词：隧穿效应 肖特基势垒 热场发射 场发射 反向漏电流 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]