中空Cu7S4纳米立方的制备及其电化学电容性能  

Cubic Nano Cu_7S_4 with Hollow Structures:Their Preparation and Electrochemical Capacitance Performance

作　　者：汪翔[1] 陈新[1,2] 周王帆 李顺英[1] 

机构地区：[1]华东理工大学材料科学与工程学院,超细材料制备与应用教育部重点实验室,上海市先进聚合物材料重点实验室,上海200237 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《材料科学与工程学报》2017年第4期542-547,共6页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：上海市重点学科和重点实验室资助项目(B502、08DZ2230500);上海市科学技术委员会资助项目(11nm0507000);信息功能材料国家重点实验室开放课题资助项目(SKL201306)

摘　　要：本文以化学沉淀法制备出立方体Cu_2O,以Cu_2O为模板用水热离子交换法制备出纳米Cu_7S_4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对Cu_7S_4进行测试,结果显示Cu_7S_4具有中空立方体结构,平均尺寸在550nm左右。使用三电极体系,采用循环伏安法、恒流充放电、电化学阻抗谱和循环稳定性分析研究了Cu_7S_4的电化学性能。测试结果表明,当电流密度为1A·g^(-1)时,Cu_7S_4的比电容为275F·g^(-1)。在电流密度为4A·g^(-1)时,Cu_7S_4循环1000次仍能保留94.8%的比电容,展示出良好的循环性能。Cu2O was synthesized by chemical precipitation, then nano Cu7S4 was synthesized via a hydrothermal ion-exchange method using the Cu20 as the template. Characterizations of the product using X- ray diffraction （XRD）, scanning electron microscopy （SEM） and transmission electron microscopy （TEM） show that the Cu7S4 has a hollow cubic structure, with an average size of - 550nm. Electrochemical performance of the Cu7S4 was investigated by cyclic voltammetry, galvanostatie charge-discharge, electrochemical impedance and cycle stability test with a three-electrode system. The test results show that the specific capacitance of the material is 275F·g^-1 at a current density of 1A·g^-1. At 4 A·g^-1, it can retain 94.8% of the specific capacitance after 1000 cycles, showing good cycling stability.

关 键 词：纳米立方体 水热合成 电化学 超级电容器 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TM53[电气工程—电器]