Cu2SnS3薄膜的溶液法制备及表征  

Characterization of the Cu_2SnS_3 thin films prepared by solution method

作　　者：孙爱民 徐斌 赵雲[2] 董延 张猛 

机构地区：[1]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室,甘肃兰州730070 [2]中国科学院兰州化学物理研究所,清洁能源化学与材料实验室,甘肃兰州730000

出　　处：《西北师范大学学报（自然科学版）》2017年第5期41-44,共4页Journal of Northwest Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(21401203)

摘　　要：采用溶液法在玻璃基底上制备了Cu_2SnS_3薄膜,研究了不同退火温度对Cu_2SnS_3薄膜性能的影响,采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计分别表征了薄膜的物相结构、形貌和光学性能.结果表明,退火温度对Cu_2SnS_3薄膜的相结构、形貌及光学性能有显著影响,随着退火温度的升高,薄膜中的晶粒尺寸明显增大,结晶性也有所增加;退火温度为500℃时,可以生成单相的Cu_2SnS_3薄膜;在不同退火温度下所制备薄膜的禁带宽度均接近1.05eV.In this paper,a solution approach for direct synthesizing Cu2SnS3 thin films on the soda lime glass substrate is reported.The effects of the annealing temperatures on Cu2SnS3 thin films are investigated.X-ray diffraction patterns,Raman spectroscopy,field-emission scanning electron microscopy and UV-vis spectroscopy are used to represented the compositional,structural and optical properties.The preliminary results indicate that the grain size and crystallinity increase with increasing of the annealing temperature.Single-phase Cu2SnS3thin film can be synthetized at 500 ℃.All the samples corresponds to a direct band gap of about 1.05 eV.

关 键 词：Cu2SnS3薄膜 溶液法 退火温度 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]