某高热流密度芯片散热设计与分析  

Design and analysis of heat dissipation of a high heat flow density chip

作　　者：叶锐[1] 张根烜[1] 关宏山[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第38研究所,安徽合肥230088

出　　处：《电子技术（上海）》2017年第8期66-69,共4页Electronic Technology

摘　　要：随着以GaN为代表的宽禁带半导体材料的发展,高功率密度电子元器件在军用电子装备上得到更为广泛的应用。军用电子装备的功率密度越来越大,对散热技术的要求也越来越高。文章针对某高热流密度T/R组件,通过传热路径热阻特性分析,得出芯片封装盒体材料性能对传热路径热阻有很大影响,综合采用金刚石/铜高导热封装盒体材料,亚毫米尺度微通道冷板强化传热技术,解决了热流密度为463W/cm2芯片的散热问题,为高热流密度芯片散热提供一种新思路。

关 键 词：高热流密度 金刚石/铜 热设计 集成冷板 

分 类 号：TN830.5[电子电信—信息与通信工程]