增强质子背散射方法对薄靶中轻元素的测定  

作　　者：付涛[1] 付月丹 

机构地区：[1]成都理工大学工程技术学院,四川乐山614000

出　　处：《建材与装饰》2017年第40期92-92,共1页Construction Materials & Decoration

摘　　要：本文采用能量为2Me V的质子束入射Mo基底表层Ti(He)薄靶,测量了散射角160°方向上的背散射能谱,用SIMNRA进行了拟合。SIMNRA虽然在计算多次散射影响时采用了双散射近似,并且使用元素的卢瑟福散射截面代替非卢瑟福散射截面。研究表明对He、O、Si这类较轻的非卢瑟福散射元素,SIMNRA能够较好地处理对其的模拟。

关 键 词：背散射 卢瑟福散射 散射截面 多次散射 质子束 散射模型 散射角 理对 核反应截面 模拟谱 

分 类 号：O571[理学—粒子物理与原子核物理]