浅析单晶硅生长的机理  被引量:1

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作  者:金学桐 冯殿义[1] 

机构地区:[1]辽宁工业大学机械工程与自动化学院,辽宁锦州121001 [2]辽宁省机电工程学校,辽宁辽阳111004

出  处:《科学家》2017年第17期2-2,15,共2页Scientist

摘  要:单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料,对于我国高新技术发展具有战略性地位。论文主要对形成单晶硅的重要方法即直拉法(CZ)单晶硅生长的机理与工艺进行了分析,并对如何提纯材料,提纯减少杂质的措施进行了介绍。

关 键 词:单晶硅 生长机理 杂质 

分 类 号:TM91[电气工程—电力电子与电力传动]

 

参考文献:

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