非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计  

Design of Non-Volatile Synapse Array and Neuron Circuits

作　　者：叶勇[1] 亢勇 景蔚亮 杜源 宋志棠[1] 陈邦明[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]上海新储集成电路有限公司,上海200122

出　　处：《微电子学与计算机》2017年第11期1-5,共5页Microelectronics & Computer

基　　金：国家自然科学基金(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006);中国科学院战略性先导科技专项(XDA09020402);国家重点基础研究发展计划(2013CBA01904,2013CBA01900,2010CB934300,2011CBA00607,2011CB932804);国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003)

摘　　要：传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元的突触权重存储和更新提供了一种有效、高速和低功耗的解决方案.Traditional neuromorphic chips generally use SRAM array to store the synaptic weights,which would lose data once power down.And the SRAM array can only be accessed through a single address decoding,which is not suitable for synaptic weights update.In this paper,a non-volatile synapse array and neuronal circuits based on 40 nm process combining with embedded phase change memory（ePCM）are proposed.This work would provide an effective,high-speed and low-power solution to store and update the neuron synaptic weights.

关 键 词：神经元 突触 非易失性 相变存储器 人工神经网络 

分 类 号：TN18[电子电信—物理电子学]