碳化硅压力传感器结构仿真及优化  

作　　者：李帅 王建平 

机构地区：[1]中船重工(重庆)海装设备股份有限公司 [2]大同大学物电学院

出　　处：《电子世界》2017年第22期12-14,共3页Electronics World

摘　　要：SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论。

关 键 词：SiC压力传感器 压力传感器应变膜 有限元分析方法 微压力传感器 

分 类 号：TN713.5[电子电信—电路与系统]