CoolMOS在中小功率开关电源中的EMI设计  

作　　者：梁晓军 

机构地区：[1]英飞凌科技(中国)电源管理及多元化市场部

出　　处：《中国电子商情》2017年第11期39-43,共5页China Electronic Market

摘　　要：本文简述MOSFET的EMI和它们的耦合机理,最常见的噪声源,对传输路径进行分析与改善以及反激转换器的典型波形频谱,针对开关器件MOSFET在导通和关断瞬间,产生电压和电流尖峰的问题,进而产生电磁干扰现象,不同的因素都能影响开关电源的电磁干扰频谱,例如,功率半导体的开关速度,运行点的开关电压与电流。以下将会简述开关器件的寄生参数以及通过几个成功的实际案例展开分析。

关 键 词：中小功率 开关电源 设计 EMI LED照明 移动设备 COOL 技术平台 

分 类 号：TN948.53[电子电信—信号与信息处理]