宽带太赫兹波的产生与探测方法研究  

作　　者：张前成[1] 

机构地区：[1]西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010

出　　处：《科技风》2017年第25期80-81,共2页

摘　　要：目前由于部分物质在3THz以下无特征吸收峰,因此研究高于3THz以上的宽带太赫兹波具有重要的意义.本文基于 四波混频模型,利用BBO晶体产生二次谐波,通过让双色激光共同激励空气形成等离子体细丝,从而辐射出宽带太赫兹波.转动 BBO晶体的角度,让入射基频激光与BBO晶体光轴形成不同的夹角,测量不同夹角时的太赫兹辐射强度.利用碲化锌（ZnTe）晶 体和磷化镓（GaP）晶体进行电光取样,获得的太赫兹波带宽分别是2. 5THd和 4. 2THd左右.结果表明：GaP晶体探测到的太赫兹 波带宽比ZnTe晶体探测时宽, GaP晶体可以实现宽带探测,但是GaP晶体探测到的太赫兹信号强度明显不如ZnTe晶体.此外, 太赫兹信号强度随着BBO晶体角度变化而变化,周期为90..

关 键 词：太赫兹 宽带 四波混频 BBO晶体 双色激光 

分 类 号：O432.1[机械工程—光学工程]