电荷密度波材料K_(0.3)_MoO_3及W掺杂样品的红外光学响应的研究  

Infrared response of pure and W-doped K_(0.3)MoO_3

作　　者：冯天[1] 王楠林[2] 陈兆甲[2] 田明亮[3] 张裕恒 

机构地区：[1]中国科学院理化技术研究所,北京100080 [2]中国科学院物理研究所,北京100080 [3]中国科技大学结构成分分析中心,合肥230026

出　　处：《物理学报》2002年第9期2113-2116,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家杰出青年基金 (批准号 :10 0 2 5 418)资助的课题~~

摘　　要：研究了准一维材料K0 3MoO3以及掺杂了 3%和 15 %的W的样品在TCDW =180K以上和以下的温度时的光反射谱和电导率谱 .在此基础上讨论了伴随着Peierls相变产生的相声子和单粒子能隙 。We measured the reflectance spectra of pure,3% and 15% Tungsten\|doped K 0 3 MoO 3 below and above the charge density wave (CDW) transition temperatures.The conductivity spectra were derived from Kramers\|Kronig transformation.The effect of W impurities on phase phonons,single particle gap associated with CDW condensation were discussed.

关 键 词：电荷密度波材料 K0.3MoO3 W掺杂 红外光学响应 Peierlssh相变 钨掺杂 光反射谱 电导率谱 蓝青铜 

分 类 号：O513[理学—低温物理]