高压SOI工艺SCR ESD保护器件研究  

Study on SCR on SOI for High Voltage ESD Protection

作　　者：陈富涛[1] 陶绪友 季惠才[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214072

出　　处：《固体电子学研究与进展》2017年第5期355-360,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器件容易引入闩锁效应的问题,是目前高压ESD保护领域较好的解决方案。In order to solve the problem that it is hard to adjust the sustaining voltage and the trigger voltage of SCR, a novel layout design was proposed which allows optimization of the sus- taining voltage and the trigger voltage while maintaining SCR＇s high voltage characteristics. This latch-up free SCR design could be a preferred technological solution for high voltage ESD protection.

关 键 词：静电放电 可控硅整流元件 维持电压 触发电压 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]