三星开始量产第二代10nm级DDR4内存  

出　　处：《微型计算机》2018年第1期51-51,共1页MicroComputer

摘　　要：三星电子近日宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8GBDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8GBDDR4芯片。据悉，三星开发的8GB DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下，三星今年的营业利润有望创下纪录。三星称，和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30％，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片陕10％，功耗降低15％。

关 键 词：三星电子 内存芯片 第二代 纳米级芯片 制程工艺 RAM芯片 M级 半导体业务 

分 类 号：TP333.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]