FLASH芯片寿命试验设计及测试方法  

作　　者：杨凌云 

机构地区：[1]上海航天电子技术研究所,上海市201109

出　　处：《电子技术与软件工程》2018年第4期73-73,74,共2页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：卫星数传综合处理器采用了NAND FLASH芯片作为主要的存储介质。芯片资料显示,FLASH芯片具有十万次擦写寿命。随着芯片的使用老化,其坏区将逐渐增加。但在实际使用中,FLASH芯片的坏区增长与擦写次数为怎样的关系,目前尚未有实际实物参照数据。通过FLASH芯片寿命试验,在地面模拟FLASH芯片在空间连续加电并多次擦除、写和读操作,经过10万次擦除试验后芯片坏区并未增加,总坏区比例不超过厂家指标值。

关 键 词：FLASH 坏区 寿命 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学]