检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:田传进 赵文燕 杨海滨[2] 付乌有[2] 谢志鹏 汪长安[1,3]
机构地区:[1]景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,江西景德镇333403 [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130012 [3]清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084
出 处:《功能材料》2018年第2期2018-2023,共6页Journal of Functional Materials
基 金:国家自然科学基金青年科学基金资助项目(51302118);江西省教育厅青年科学基金资助项目(GJJ13619);景德镇市科技局青年基金资助项目(103037201);吉林大学超硬材料国家重点实验室开放课题资助项目(201313);清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题资助项目(KF1211;KF201206)
摘 要:以透明导电玻璃(FTO)为基底,采用电化学沉积法制备了Cu_2O敏化的ZnO纳米棒阵列复合薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HRTEM)、电化学工作站研究了不同Cu_2O沉积时间对复合薄膜的晶体结构、形貌、光电性质的影响。结果表明,电化学沉积的Cu_2O纳米晶可以与ZnO纳米棒形成异质结,提高ZnO纳米薄膜的光电转换效率,当Cu_2O的沉积时间为5min时,Cu_2O敏化ZnO纳米棒薄膜的光电转换效率最高。Cu_2O sensitized ZnO nanorod array films were prepared on transparent conductive glass(FTO)by electrochemical deposition method.The microstructure,surface morphologies and photoelectric properties of Cu_2O sensitized ZnO films were characterized by X-ray diffraction(XRD),field emission scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM),X-ray energy spectrum(EDS)and electrochemical workstation(CHI601 C).The results show that electrochemical deposition of Cu_2O nanocrystals can be formed heterojunction with the ZnO nanorods and improve the photoelectric conversion efficiency of ZnO thin films.The photoelectric conversion efficiency of Cu_2O sensitized ZnO nanorod films is the highest when the deposition time of Cu_2O is 5 min.
分 类 号:TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]
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