多孔氧化银电极中残留氢氧根离子浓度的研究  

作　　者：林沛[1] 王宇轩[1] 刘瑛[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384

出　　处：《科学技术创新》2017年第21期79-80,共2页Scientific and Technological Innovation

摘　　要：试验通过恒电流极化方法,对多孔氧化银电极内残留的氢氧根离子(OH^-)浓度做一个半定量的分析。试验结果表明,在50℃,恒电流密度0.62A/cm^2时,氢氧化钠浓度为2.14mol/L,氧化银电极中残留OH^-浓度随时间的变化为:y=1.92+1.91x^(0.5)。氢氧化钠浓度为3.83mol/L时,氧化银电极中残留OH^-浓度随时间的变化为:y=3.32+2.11x^(0.5)。In the experiment, a constant current polarization method is adopted to make a semi-quantitative analysis of residues OH- concentration in porous silver oxide electrode. The results show that the residues OH- concentration with time in porous silver oxide electrode is satisfying the equation：y=1.92 ＋1.91x^0.5 at 50℃ ,current density of 0.62Mcm^2 and NaOH contion：y=3.32 ＋2.11x^0.5 at 50℃,current density of 0.62A/cm^2 and NaOH concentration 3.83mol/L.

关 键 词：多孔氧化银电极 恒电流极化 OH-浓度 

分 类 号：O646.54[理学—物理化学]