一种SiC MOSFET驱动保护电路的设计  

作　　者：刘峰兵 

机构地区：[1]西安工程大学电子信息学院,陕西西安710048

出　　处：《科技风》2018年第9期100-101,共2页

摘　　要：相比于同等级的Si MOSFET,SiC MOSFET因具有更高速的开关特性和更小的导通损耗而具有极大地应用优势。但是,SiC MOSFET更小的门极电容和更小的门极耐压范也使得其在应用时提出了更大的挑战。本文在分别对SiC MOSFET的开通关断过程进行分析之后得出其安全可靠驱动的要求,研究适用于SiC MOSFET的驱动保护电路,进行LTspice仿真验证,分析了施加不同外部电容和不同驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响,同时对保护电路的功能进行了PSpice仿真验证。

关 键 词：SiCMOSFET 驱动电路 过流保护 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]