基于0．18μmCMOS工艺的0．1-2GHz宽带功率放大器芯片  

作　　者：邬海峰 朱琳 林倩[3] 

机构地区：[1]成都嘉纳海威科技有限责任公司 [2]天津城建大学 [3]青海民族大学

出　　处：《电子世界》2018年第6期41-42,共2页Electronics World

基　　金：青海省科技厅2017年基础研究计划项目(2017-ZJ-753);青海民族大学高层次人才项目(2017XJG04);教育部“春晖计划”项目(Z2016071)

摘　　要：本文介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺的0.1–2 GHz宽带射频功率放大器(PA)。该PA采用了双级、晶体管堆叠放大器结构结合电阻匹配和负反馈技术,可以在较小的芯片面积内实现良好的功率增益、增益平坦度和宽带匹配特性。实测结果表明,在5 V供电时,该PA可以在0.1–2 GHz频段内实现18.1±0.6 dB的增益、优于10.5 dB的输入匹配、优于12.6 dB的输出匹配、12%的功率附加效率和优于20 dBm的输出功率。该PA芯片面积仅占用0.52 mm^2,是目前作者所知覆盖该频段并同时实现上述指标的最小面积的CMOS PA芯片。

关 键 词：CMOS功放 电阻性反馈 堆叠结构 超宽带功放 

分 类 号：TN948.53[电子电信—信号与信息处理]