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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:沈劲鹏[1] 王新安[1] 林科 SHEN Jinpeng;WANG Xin'an;LIN Ke(The Key Lab. of Integr. Microsyst. , Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen Guangdong 518055, P. R. China)
机构地区:[1]北京大学深圳研究生院集成微系统科学工程与应用重点实验室,广东深圳518055
出 处:《微电子学》2018年第2期178-182,196,共6页Microelectronics
基 金:深圳市基础研究基金资助项目(JCYJ20160229094148396)
摘 要:基于动态阈值补偿技术,提出了一种适用于无源超高频RFID标签的高效率整流电路。该整流电路可以根据MOS管的工作状态对MOS管阈值电压进行动态补偿,使得MOS管同时具有低的导通电压和反向泄漏电流,从而实现高的功率转换效率。采用该整流电路的无源超高频RFID标签芯片在0.18μm CMOS工艺下设计实现。测试结果表明,在驱动80kΩ负载时,整流电路的功率转换效率最高可达53.7%。相比于传统整流电路,转换效率提高了约20%。A high efficiency rectifier with dynamic threshold compensation(DTC)scheme for passive UHF RFID transponder was proposed.In the rectifier circuit,the threshold voltages of MOSFETs were compensated by applying gate bias voltages,which were dynamically changed according to the states of the MOSFETs.The proposed DTC rectifier enabled both low turn-on voltages and small reverse current leakages for the MOSFETs,having resulted in high power conversion efficiency(PCE).The passive UHF RFID transponder with the proposed rectifier was fabricated in a 0.18μm CMOS process.Measurement results showed that the rectifier achieved a maximum PCE of 53.7% with 80 kΩ resistor load,which was about 20% higher than conventional rectifiers.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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