基于SiC MOSFET的两电平交流伺服驱动器主回路损耗研究  

作　　者：王东文[1] 袁刚 宋词[1] 王志飞[1] 

机构地区：[1]冶金自动化研究设计院

出　　处：《电气应用》2018年第9期28-32,共5页Electrotechnical Application

摘　　要：分析了交流伺服驱动器主回路在双极性SPWM调制下的损耗组成，并推导了两电平交流伺服驱动器主回路的损耗计算方法。基于推导的损耗算法，对比分析了SiC MOSFET、Si MOSFET和Si IGBT三种功率器件用于交流伺服驱动器主回路时的损耗情况，得出采用SiC MOSFET的交流伺服驱动器主回路损耗更小，在功率器件技术指标和工作温度等条件一致的情况下，采用SiC MOSFET搭建主回路的交流伺服驱动器体积可以做得更小。上述分析计算结果通过仿真和实验进行了进一步验证。

关 键 词：碳化硅 两电平 伺服驱动器 主回路 损耗 

分 类 号：TM341[电气工程—电机]