高功率微波GaN器件研究现状与发展趋势  

作　　者：李国熠 滑育楠 邬海峰 

机构地区：[1]成都西科微波通讯有限公司 [2]成都嘉纳海威科技有限责任公司

出　　处：《电子世界》2018年第10期89-90,共2页Electronics World

摘　　要：本文在分析目前GaN高功率微波器件研究现状的基础上,总结了GaN高功率微波器件及芯片的关键技术和发展趋势,仅供相关领域的学者参考。

关 键 词：高功率微波器件 GAN器件 研究现状 发展趋势 

分 类 号：TN787[电子电信—电路与系统]